Детали
| Product | Si/Sio2 90nm, Si/Sio2 285nm |
|---|---|
| Size | Graphene 1x1cm (1cm2), Substrate 1,2×1,2cm, Graphene 2x2cm (4cm2), Substrate 3x3cm, Graphene 4x4cm (16cm2), Substrate 5x5cm |
CVD графен в виде пленки на кремниевой подложке с оксидом кремния
Графен в виде пленки, полученный CVD методом (химическим осаждением из газовой фазы: смесь метана, водорода и аргона) на кремниевой подложке /слоем оксида кремния (Si/SiO2) толщиной 285 нм или 90 нм.
Технические характеристики
Размер зерна: > 20 мкм
Прозрачность: > 97%
Площадь покрытия: > 99%
Толщина: < 1 нм – один слой
Поверхностное сопротивление: 500 – 800 Ом/□
Подвижность носителей зарядов на SiO2: 1500 – 2500 см2/В∙с
Применение
- Катализаторы;
- Суперконденсаторы;
- Солнечные батареи;
- Графеновые полупроводниковые чипы;
- Проводящая графеновая пленка;
- Графеновые материалы для памяти компьютера
- Биоматериалы
- Прозрачные проводящие покрытия
3,800 ₽ – 53,580 ₽
