CVD графен в виде пленки на кремневой подложке с оксидам кремня

Графен  в виде пленки, полученный CVD  методом (химическим осаждением из газовой фазы: смесь метана, водорода и аргона) на кремниевой подложке /слоем оксида кремния (Si/SiO2) толщиной 285 нм или 90 нм.

Технические характеристики

Размер зерна: > 20 мкм

Прозрачность: > 97%

Площадь покрытия: > 99%

Толщина: < 1 нм – один слой

Поверхностное сопротивление: 500 – 800 Ом/□

Подвижность носителей зарядов на SiO2: 1500 – 2500 см2/В∙с

Применение

  • Катализаторы;
  • Суперконденсаторы;
  • Солнечные батареи;
  • Графеновые полупроводниковые чипы;
  • Проводящая графеновая пленка;
  • Графеновые материалы для памяти компьютера
  • Биоматериалы
  • Прозрачные проводящие покрытия

2,560 36,096 

Артикул: Н/Д Категория:
Graphene 4x4cm (16cm2), Substrate 5x5cm
36,096 
Graphene 2x2cm (4cm2), Substrate 3x3cm
12,160 
Graphene 1x1cm (1cm2), Substrate 1,2x1,2cm
2,560 
Graphene 4x4cm (16cm2), Substrate 5x5cm
36,096 
Graphene 2x2cm (4cm2), Substrate 3x3cm
12,160 
Graphene 1x1cm (1cm2), Substrate 1,2x1,2cm
2,560 

Детали

Product

Si/Sio2 90nm, Si/Sio2 285nm

Size

Graphene 1x1cm (1cm2), Substrate 1,2×1,2cm, Graphene 2x2cm (4cm2), Substrate 3x3cm, Graphene 4x4cm (16cm2), Substrate 5x5cm

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “CVD графен в виде пленки на кремневой подложке с оксидам кремня”